Fil-proċess tal-użu tal-wajer tat-tisħin tas-silikon, se jkun hemm fenomeni mhux mixtieqa bħal tkissir tal-wajer tal-qalba, ħsara u ksur tal-qalba. Wajers tat-tisħin tas-silikonju huma ġeneralment magħmula minn taħlita ta 'wajers tal-qalba b'sezzjoni trasversali iżgħar. Fil-proċess ta 'produzzjoni, installazzjoni u użu, huwa faċli li jiġi affettwat minn forzi esterni u għandu ċirkwit qasir, li jirriżulta fil-wajer ma jistax jintuża normalment, għalhekk Xiaobian li jmiss tieħdok biex tifhem kif tiskopri l-ċirkwit qasir tal- linja tat-tisħin tas-silikon.
L-ewwel, kif tiskopri meta l-linja tat-tisħin tas-silikonju tkun short-circuited
1. Il-linja tat-tisħin tas-silikon tista 'tiġi skoperta mill-metodu tal-kapaċità enerġizzata, iżda dan il-metodu mhuwiex rakkomandat. Il-pass speċifiku huwa li jiġi ddeterminat il-punt ta 'waqfien billi kontinwament jiġi enerġizzat il-paragun tal-kapaċità. Ir-reżistenza tat-temperatura tal-wajer tat-tisħin tas-silikon hija ftit differenti minn dik tal-materjal ta 'barra. Hemm bejn wieħed u ieħor tliet tipi ta 'PTFE: kisi li ma jeħel PTFE (PTFE) jista' jintuża kontinwament f'260, it-temperatura massima tal-użu hija 290-300, il-koeffiċjent tal-frizzjoni huwa estremament baxx, ir-reżistenza għall-ilbies hija tajba, u l-kimika l-istabbiltà hija eċċellenti. L-iżvantaġġi ta 'dan il-metodu huma ovvji ħafna. L-ewwel, huwa jieħu ħafna ħin. It-tieni, il-wajers tat-tisħin tas-silikon li ilhom iffurmati, bħall-ilqugħ, l-assemblaġġ u l-kisi, jitlestew, u huwa diffiċli li ssib breakpoints.
2. Il-metodu tal-vultaġġ tal-induzzjoni huwa li tgħaqqad vultaġġ AC 650-volt f'tarf wieħed tal-qalba miksura tal-linja tat-tisħin tas-silikon, u art in-naħa l-oħra b'qlub oħra, u mbagħad ittestja b'pinna tal-induzzjoni li tista 'tarmi sinjali ottiċi (dawl). Matul it-test, is-sinjal jinbidel meta l-pinna tal-induzzjoni tiżżerżaq fuq il-qalba bil-ħsara, sabiex il-punt tal-ksur tal-wajer tat-tisħin tas-silikon ikun jista 'jinstab b'mod preċiż. Linja tat-tisħin tas-silikonju FEP: FEP (etilene fluworidu propylene kopolimeru) kisi li ma jwaħħalx idub u tgħaddi matul il-proċess tal-ħami biex tifforma film mhux poruż bi stabbiltà kimika eċċellenti u proprjetajiet eċċellenti li ma jwaħħalx b'temperatura massima ta 'applikazzjoni ta' 200.
3. Il-metodu abilità u l-metodu ta 'induzzjoni huma kkombinati, ġeneralment taħt il-premessa li l-linja tat-tisħin tas-silikon mhix protetta u miksija (spezzjoni u ttestjar). Wajer tat-tisħin tal-ġel tas-silika għandu reżistenza għall-korrużjoni eċċellenti, bażikament insolubbli fi kwalunkwe solvent organiku, jista 'jirreżisti żejt, aċidu qawwi, alkali qawwi, ossidant qawwi eċċ. Għandu prestazzjoni eċċellenti ta 'insulazzjoni elettrika, vultaġġ għoli, telf ta' frekwenza baxxa u għolja, l-ebda assorbiment ta 'umdità, u reżistenza kbira ta' insulazzjoni. Għandha ritardanza tal-fjammi eċċellenti, reżistenza għat-tixjiħ u ħajja twila ta 'servizz. L-ewwel, uża test tal-kapaċità biex issib il-pożizzjoni approssimattiva, u mbagħad uża l-metodu ta 'vultaġġ indott biex issib b'mod preċiż il-punt ta' tkissir, dan il-metodu bħalissa huwa metodu komuni użat mill-manifatturi tal-wajer tat-tisħin tas-silikon.
4. Il-kombinazzjoni ta 'sors ta' kurrent kostanti u metodu ta 'pont tista' tintuża biex tiskopri l-linja tat-tisħin tas-silikon iffurmat. L-ewwel, uża sors ta 'kurrent kostanti biex taħraq permezz tal-insulazzjoni fil-qalba miksura tal-linja tat-tisħin tas-silikon, u mbagħad uża locator tal-ħsara tal-pont biex issib b'mod preċiż il-punt tal-ħsara, li huwa wkoll metodu ta' skoperta ta 'ċirkwit qasir tal-linja tat-tisħin tal-ġel tas-silika użat b'mod komuni .